SanDisk и Toshiba освоили производство чипов Flash-памяти емкостью 256 Гб

В прошлом году эти две компании анонсировали совместную работу над новым заводом в Ёккаичи (Япония), заявив, что будут использовать его мощности исключительно для выпуска трехмерной флэш-памяти V-NAND, сообщает Ko.com.ua. На момент анонса общая стоимость проекта оценивалась ими примерно в 4,84 млрд долл. Уже в марте Toshiba смогла представить первые 48-слойные чипы 3D V-NAND — они имели емкость 128 Гб (16 ГБ).

При изготовлении нового 256-гигабитного устройства использовался 15-нанометровый литографический процесс, технология вертикальной компоновки BiCS [Bit Cost Scaling] и запись трех бит данных на транзистор (triple-level cell, TLC). Созданный чип подходит для всевозможных приложений, включая SSD для потребителей и предприятий, смартфоны, планшеты, карты памяти.

По информации Samsung, ее память V-NAND использует структуру ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), благодаря чему более, чем вдвое превосходит по возможностям масштабирования сегодняшнюю планарную память NAND класса 20 нм. Она также обеспечивает улучшение надежности в 2-10 раз и двукратный рост скорости записи.