Прогресс в лазерной литографии: новые пределы
В 2007 г. индустрия полупроводников освоила технологию производства микросхем с минимальным топологическим размером элементов 45 нм. Для формирования рисунка используется лазерная литография с иммерсионным слоем. Существует возможность применять этот метод и для следующих топологических пределов...
Категории
М