Intel и Micron представляют первый в мире 20-нанометровый и 128-гигабитный NAND-модуль
САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 6 декабря 2011 г. - Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.
Samsung начал производство 64-гигабитных микросхем памяти NAND с 3-битной архитектурой по 20-нанометровым технологическим нормам
Сеул, Корея, октябрь 2010 года — Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых полупроводниковых технологий, первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой ячеек емкостью 64 гигабит (Гб).
Категории
М